7月7日下午，中國科學院半導體研究所與云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司在云南國家鍺材料基地簽署了“光電半導體材料聯合實驗室合作協議”，中科院院士、半導體所所長李樹深，云南鍺業董事長包文東為聯合實驗室揭牌。
　　半導體所與云南鍺業已開展近8年的合作，中科院昆明分院與地方各級政府部門、高校給予了長期關注，光電半導體材料項目是昆明分院重點助推的“科技入滇”項目，也是云南省科技廳促成“平臺、企業、成果、人才”入滇落戶的主要成果。雙方在主動服務國家和區域戰略需要，主動推動原創性、前沿性科技成果支撐產業發展，主動培養科技帶頭人和管理骨干起到示范作用。
　　聯合實驗室的建立，旨在建成國內一流、國際先進的高水平光電半導體材料研發平臺，重點圍繞鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料、材料物性檢測分析、光電子微電子器件研發，開展低成本單晶生長爐的設計和制造、研究開發高產能大直徑低位錯密度單晶生長關鍵工藝、高平整度開盒即用拋光晶片加工、光電半導體單晶片批量生產中質量和成本控制等產業化關鍵技術的聯合攻關和技術開發。
　　簽約儀式結束，與會人員集體參觀了云南鍺業產業化基地。
　　云南省科技廳廳長龍江出席簽約儀式并致辭，昆明分院、半導體所、云南省科技廳、云南省工信委、昆明市科技局、市工信委、市發改委、昆明高新區管委會、云南冶金設計院、云南大學、昆明理工大學、云南師范大學等單位負責人、部門負責人、專家和教授見證了此次簽約。