亚洲综合在线视频-亚洲综合在线观看视频-亚洲综合视频网-亚洲综合色秘密影院秘密影院-日本三区四区免费高清不卡

國內首個80納米STT-MRAM器件制備成功

作者： 2017年05月09日 來源： 瀏覽量：
字號：T | T
近日，北京航空航天大學與中國科學院微電子研究所聯(lián)合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩——磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件。 　　STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用

　　近日，北京航空航天大學與中國科學院微電子研究所聯(lián)合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩——磁隨機存儲器芯片（STT-MRAM）器件。

　　STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的攻關，在STT-MRAM關鍵工藝技術研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm的磁隧道結，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應達到92%，可實現(xiàn)純電流翻轉且電流密度達到國際領先水平。

　　在北京市科委的大力支持下，該工作完全采用了可兼容傳統(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉移的條件，對我國存儲器產(chǎn)業(yè)的技術突破形成了具有實際意義的推動作用。

圖1. STT-MRAM存儲芯片器件原理圖

圖2. 直徑80nm MTJ器件俯視圖

 

圖3. 直徑80nm MTJ器件 

圖4. TMR效應測試結果

圖5. STT效應測試結果

全球化工設備網(wǎng)（http://www.tupvw34.cn ）友情提醒，轉載請務必注明來源:全球化工設備網(wǎng)！違者必究.

標簽：

分享到：
免責聲明：1、本文系本網(wǎng)編輯轉載或者作者自行發(fā)布，本網(wǎng)發(fā)布文章的目的在于傳遞更多信息給訪問者，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點，同時本網(wǎng)亦不對文章內容的真實性負責。
2、如涉及作品內容、版權和其它問題，請在30日內與本網(wǎng)聯(lián)系，我們將在第一時間作出適當處理！有關作品版權事宜請聯(lián)系：+86-571-88970062