產地：武漢
規格：PMST2210
公司所在地：湖北武漢
電話：18140663476
IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的簡單介紹集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件靜態參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻、nA級漏電IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的詳細信息IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統特點 高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
測試項目 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線 Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉移特性曲線、C-V特性曲線 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO 測試夾具 以上是IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的詳細信息，如果您對IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯系我們獲取IGBT/SiC MOS大功率半導體器件參數測試系統的最新信息 |
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