中國科學院電工研究所王秋良研究組采用自主研發(fā)的高溫內(nèi)插磁體技術，將YBCO內(nèi)插磁體在15T超導背場下的中心磁場提高到了24 @4.2K，使得中國成為繼美國、日本、韓國之后實現(xiàn)24T全超導磁體的國家。

　　與Bi2223內(nèi)插超導磁體相比，YBCO超導磁體具有更高的上臨界磁場和臨界電流，運行穩(wěn)定性更高，更容易獲取極高磁場。目前僅有美國的國家高場實驗室、日本的東北大學高場實驗室以及韓國的SuNAM超導公司能夠?qū)崿F(xiàn)24T以上全超導磁體。

　　王秋良研究組在國家自然基金資助下采用YBCO帶材研制高場內(nèi)插磁體。研究人員采用分級設計的方式提高了整個線圈的安全裕度，并通過特殊設計的焊接裝置制作了性能優(yōu)良的磁體接頭，制作的內(nèi)插磁體在液氮測試條件下當運行電流為32A時，中心磁體達到了1.62T@77K。而在液氦測試條件下，內(nèi)插磁體在運行電流為167A時，在15T的超導背場中產(chǎn)生了9T的中心磁場，從而實現(xiàn)了中心場為24T的全超導磁體，其最高場為24.3T。

　　24T極高場全超導磁場的實現(xiàn)，標志著我國在研制高場內(nèi)插磁體方面走在世界前列，也標志著我國逐步吸收和掌握了極高場磁體的制作技術并積累了豐富的經(jīng)驗，為實現(xiàn)GHz級別的譜儀磁體和極高場大科學裝置奠定了基礎。

超導磁體勵磁曲線