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產地:武漢

規(guī)格:PMST2200V/1000A

公司所在地:湖北武漢

電話:18140663476

1993323884  
詳細信息

半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)的簡單介紹

半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模

半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)的詳細信息

半導體分立器件特性參數測試是對待測器件(DUT)施加電壓或電流,然后測試其對激勵做出的響應;通常半導體分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成,過程既復雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。實施特性參數分析的最佳工具之一是半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng),普賽斯分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數,電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)采用模塊化設計,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。


產品特點

高電壓、大電流

具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(最大可擴展至10kV)


具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))


高精度測量


nA級漏電流, μΩ級導通電阻


0.1%精度測量


模塊化配置


可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元


測試效率高


內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元


支持國標全指標的一鍵測試


擴展性好


支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,并在多個領域展現出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。此外,在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場,普賽斯儀表的產品也能夠滿足絕大多數應用場景的需求。


以上是半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)的詳細信息,如果您對半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)的價格、廠家、型號、圖片有任何疑問,請聯(lián)系我們獲取半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)的最新信息

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