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功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備的簡單介紹是一款專用于MOSFET、IGBT、SiCMOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗，評估器件的安全工作區(qū)，對器件和驅(qū)動電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證，測量功率組件的雜散電感功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備的詳細(xì)信息功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備特點(diǎn) 高電壓達(dá)2000V（最大擴(kuò)展至8kV） 大電流達(dá)2000A（可擴(kuò)展至6000A） 低寄生電感設(shè)計(jì)：＜20nH寄生電感 安全防護(hù)機(jī)制：集成防爆、過流/過壓保護(hù) 全功能測試覆蓋：支持DPT、RBSOA、 SCSOA、Qg等參數(shù) 自動化與智能化，負(fù)載電感自動切換 溫度范圍廣：可選高溫模塊(常溫-200℃)或熱流儀(-40℃-200℃) 兼容多種封裝，可根據(jù)測試需求定制夾具 測試參數(shù) 開通特性：開通延時(shí)時(shí)間td(on)、開通上升時(shí)間tr、開通時(shí)間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs vs.t、Ig vs.t 關(guān)斷特性：關(guān)斷延時(shí)時(shí)間td(off)、關(guān)斷上升時(shí)間tf、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷能量損耗E(off)、關(guān)斷電壓斜率dv/dt、 關(guān)斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs vs. t、Ig vs.t 反向恢復(fù)特性：反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr、反向恢復(fù)能量Err、最大反向恢復(fù)電流Irrm、反向恢復(fù)電壓斜率dv/dt、反向恢復(fù)電流斜率di/dt、反向恢復(fù)電流特性Id vs.t 短路特性：短路時(shí)間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc 柵極電荷：總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs vs.t 反偏安全工作區(qū)：關(guān)斷電壓尖峰VCE—peak、關(guān)斷電流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t PMDT功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備是一款專用于MOSFET、IGBT、SiC MOS等器件的動態(tài)參數(shù)測試，能夠安全便捷的測試功率器件的開關(guān)延時(shí)和損耗，評估器件的安全工作區(qū)，對器件和驅(qū)動電路的短路保護(hù)特性進(jìn)行驗(yàn)證，測量功率組件的雜散電感。設(shè)備既可以用于功率器件選型評估，又可以用于驅(qū)動電路和功率母排的優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠幫助用戶開發(fā)性能更優(yōu)化、工作更可靠的電力電子功率平臺。主要由雙脈沖信號發(fā)生器，高分辨率示波器，高壓電流探頭，高壓電源、母線電容、低雜感母排、自動化測試軟件以及配套測試工裝組成。系統(tǒng)配備多種測試驅(qū)動板，可覆蓋開關(guān)參數(shù)測試、柵極電荷測試、短路測試、雪崩測試等，單次測試即可完成開關(guān)特性及反向恢復(fù)特性測試；具備數(shù)據(jù)管理功能，可實(shí)時(shí)保存測試結(jié)果及波形曲線，自動生成測試報(bào)告 以上是功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備的詳細(xì)信息，如果您對功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備的價(jià)格、廠家、型號、圖片有任何疑問，請聯(lián)系我們獲取功率半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備的最新信息 |
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