半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的簡(jiǎn)單介紹半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的詳細(xì)信息半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng);通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。產(chǎn)品特點(diǎn) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置 可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元 測(cè)試效率高 內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元 支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試 擴(kuò)展性好 支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具 測(cè)試項(xiàng)目 目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。此外,在大功率激光器測(cè)試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng),普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求。 以上是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的詳細(xì)信息,如果您對(duì)半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有任何疑問(wèn),請(qǐng)聯(lián)系我們獲取半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)的最新信息 |